引言基于開路電壓(OCV)的電量計DS2786在出廠時將默認的OCV特性和默認配置加載到EEpROM中。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應(yīng)特定的應(yīng)用場合，必要時需對DS2796的EEpROM進行再編程。本文描述了如何對EEpROM進行編程及如何對已經(jīng)安裝好的電路板進行測試。板極測試下文給出了一個安裝電池包之前測試基于DS2786OCV電路板的例子。圖1為電路板的電路原理圖，用到了DS2786的所有功能。圖中所有重要的測試點(共7個)都用帶圈數(shù)字標出。測試流程假定電路中的所有分立元件已經(jīng)過測試，因此，測試目的為確認線路連接，從而驗證安裝的電路板是否正確。

圖1.必須驗證的電路節(jié)點測試步驟1：測試初始化。該步驟的目的是確定電路板中是否存在直接短路，是否能進行通信。器件成功通信后可以讀取電壓寄存器讀數(shù)，以驗證SDA和SCL連接(節(jié)點1)、pack+和VDD引腳之間的連接(節(jié)點2)，以及pack-和VSS引腳(節(jié)點3)之間的連接是否正確。此外，通過讀取電壓寄存器并確認測試是否有效，可以驗證VIN引腳(節(jié)點4)連接是否正確。pack+與pack-間接4.0V電源。等待880ms。等待電壓轉(zhuǎn)換。讀電壓寄存器：2字節(jié)。若未發(fā)生通信表明電路安裝失敗。若電壓讀數(shù)不正確表明電路安裝失敗。測試步驟2：驗證SNS(節(jié)點5)。通過有效的電流測試可驗證SNS引腳連接是否正確。pack+與pack-間接4.0V電源。pack-與系統(tǒng)VSS間電流為1.0A。等待880ms。等待電流轉(zhuǎn)換讀電流寄存器：2字節(jié)。若電流讀數(shù)不準確表明電路安裝失敗。測試步驟3：驗證輔助輸入AIN0和AIN1連接(節(jié)點6)。通過有效的電阻測量可驗證AIN0和AIN1引腳連接是否正確。這一步是可選的。在packID端與pack-間接10kΩ電阻。在Therm端與pack-間接10kΩ電阻。pack+與pack-間接4.0V電源。等待880ms。等待輔助輸入轉(zhuǎn)換。讀AIN0和AIN1：4字節(jié)。若AIN0/AIN1讀數(shù)不準確表明電路安裝失敗。測試步驟4：驗證VpROG并對EEpROM編程(節(jié)點8)。需要提供一個測試點用于連接編程電壓至VpROG引腳，以對DS2786的EEpROM進行編程。通過寫EEpROM和復制EEpROM可以驗證該連接是否正確，并驗證EEpROM是否已更新。EEpROM中包括了電流失調(diào)偏置寄存器(CObr)，因此在編程EEpROM之前校準CObr是有益的。pack+與pack-間接4.0V電源。校準CObr。若希望進行CObr校準，可以參看下文的詳細說明。寫參數(shù)EEpROM區(qū)：32字節(jié)。將參數(shù)復制到EEpROM。等待14ms。等待復制EEpROM。向參數(shù)EEpROM區(qū)寫0xFFh：31字節(jié)非存儲器地址0x7Dh)*。從EEpROM中調(diào)用參數(shù)。讀參數(shù)EEpROM區(qū)：32字節(jié)。如果從EEpROM中讀取到的32個字節(jié)都無法與原先寫入的32字節(jié)相匹配，說明電路安裝失敗。不要向存儲器地址7Dh寫入0xFFh，否則從地址將變化并且器件將停止響應(yīng)當前從地址。電流失調(diào)偏置寄存器的校準通過電流失調(diào)偏置寄存器，可在+3.175mV至-3.2mV間調(diào)節(jié)DS2786電流測量結(jié)果，步長為25μV。CObr的出廠默認值為0x00h。以下例子列出了校準DS2786電流失調(diào)偏置寄存器的步驟：給DS2786加電，確保檢測電阻中無電流。向CObr中寫0x00h(存儲器地址0x60h)。等待880ms，直至下一個轉(zhuǎn)換周期到來。讀電流寄存器。根據(jù)實際需要，多次重復步驟3和步驟4，直至獲得平均電流讀數(shù)。將平均電流讀數(shù)的相應(yīng)值寫入CObr。將CObr值復制到EEpROM(該步驟應(yīng)與將所有值復制到EEpROM結(jié)合起來共同進行)。總結(jié)要對組裝好的基于OCV電量計DS2786進行正確驗證，需要測試電路中的每一個焊點。測試步驟1、2和3可以合為一個步驟以縮短測試時間，尤其是可以縮短轉(zhuǎn)換延遲時間。此外，測試期間對EEpROM編程可以提供更有效的測試流程，同時可以提供足夠的時間施加保存參數(shù)(包括電流失調(diào)偏置)至EEpROM所需的編程電壓。